SK하이닉스가 18일 중국 우시 반도체 신공장(C2F) 준공식을 개최하고 본격적인 가동에 들어갔다.
반도체 업황 둔화에도 불구하고 지속적인 투자를 단행하며 시장 장악력을 더욱 확대하겠다는 의지로 풀이된다.
C2F는 기존 D램 생산라인인 C2를 확장한 것이다. SK하이닉스는 미세공정 전환에 따른 생산공간 부족 문제를 해결하기 위해 2017년 6월부터 올해 4월까지 총 9500억원을 투입해 C2F를 건설했다.
C2F 가동이 본격화되면 공장의 전체 D램 생산 능력은 기존의 2배(월 최대 18만장 규모 웨이퍼 생산)로 늘어나게 될 전망이다. 현재 C2의 최대 생산량은 월 10만장 정도로 알려져 있다. C2F에서는 주로 10나노급 D램 제품이 생산된다. 이번에 준공한 C2F는 건축면적 5만8000㎡(길이 316m·폭 180m·높이 51m)의 단층 팹(FAB)으로, 기존 C2 공장과 비슷한 규모다.
2006년 완공된 중국 C2는 SK하이닉스의 첫 300mm 팹으로, 현재 SK하이닉스 D램 생산량의 절반가량을 차지하고 있다. 업계에서는 SK하이닉스가 이번 생산라인 확장을 통해 중장기적으로 메모리 반도체 시장에서 한 단계 더 도약할 것으로 전망하고 있다.
특히 세계 3위 D램 생산 업체인 미국 마이크론이 최근 D램 가격 하락을 이유로 감산을 선언한 상황에서 2위인 SK하이닉스가 본격적인 증산에 나설 경우 3위와 격차를 벌리고, 1위인 삼성전자도 바짝 추격할 수 있을 것으로 보고 있다.
시장조사업체인 D램익스체인지에 따르면 8기가바이트(GB) D램 가격은 지난해 12월 7.25달러(약 8240원)에서 올해 3월 4.56달러(약 5183원)로 석 달 사이 37%나 급락했다.
SK하이닉스는 현재 D램 가격이 하락세인 만큼 투자 속도를 조절해 시장 상황에 대응하겠다는 방침이다. SK하이닉스 관계자는 "일부 클린룸 공사를 완료하고 장비를 입고해 D램 생산을 시작했지만, 추가적인 클린룸 공사 및 장비 입고 시기는 시황에 따라 탄력적으로 결정할 예정"이라고 말했다. 업계에서는 SK하이닉스가 3분기 이후 D램 가격 상승에 대비해 시설 투자를 선제적으로 단행한 것으로 보고 있다.
SK하이닉스는 이번 우시 팹 확장 외에도 꾸준히 투자에 나서고 있다. 지난해 말에는 경기 이천에 신규 D램 생산라인인 M16 공장 건설을 시작했다. 2020년 완공 예정인 M16은 차세대 노광장비인 극자외선(EUV) 전용 공간이 별도로 조성된다. 지난해에는 충북 청주에 3D 낸드 생산을 위한 M15 공장 건설을 완료했다. 이 밖에도 2022년 이후 용인 클러스터 4개 팹에 120조원을 투자한다는 계획도 세우고 있다.
한편 '새로운 도약, 새로운 미래'라는 주제로 열린 이날 준공식에는 리샤오민 우시시 서기, 궈위엔창 장쑤성 부성장, 최영삼 상하이 총영사, 이석희 SK하이닉스 대표이사, 고객 및 협력사 대표 등 500여명이 참석했다.
반도체 업황 둔화에도 불구하고 지속적인 투자를 단행하며 시장 장악력을 더욱 확대하겠다는 의지로 풀이된다.
C2F는 기존 D램 생산라인인 C2를 확장한 것이다. SK하이닉스는 미세공정 전환에 따른 생산공간 부족 문제를 해결하기 위해 2017년 6월부터 올해 4월까지 총 9500억원을 투입해 C2F를 건설했다.
C2F 가동이 본격화되면 공장의 전체 D램 생산 능력은 기존의 2배(월 최대 18만장 규모 웨이퍼 생산)로 늘어나게 될 전망이다. 현재 C2의 최대 생산량은 월 10만장 정도로 알려져 있다. C2F에서는 주로 10나노급 D램 제품이 생산된다. 이번에 준공한 C2F는 건축면적 5만8000㎡(길이 316m·폭 180m·높이 51m)의 단층 팹(FAB)으로, 기존 C2 공장과 비슷한 규모다.
특히 세계 3위 D램 생산 업체인 미국 마이크론이 최근 D램 가격 하락을 이유로 감산을 선언한 상황에서 2위인 SK하이닉스가 본격적인 증산에 나설 경우 3위와 격차를 벌리고, 1위인 삼성전자도 바짝 추격할 수 있을 것으로 보고 있다.
시장조사업체인 D램익스체인지에 따르면 8기가바이트(GB) D램 가격은 지난해 12월 7.25달러(약 8240원)에서 올해 3월 4.56달러(약 5183원)로 석 달 사이 37%나 급락했다.
SK하이닉스는 현재 D램 가격이 하락세인 만큼 투자 속도를 조절해 시장 상황에 대응하겠다는 방침이다. SK하이닉스 관계자는 "일부 클린룸 공사를 완료하고 장비를 입고해 D램 생산을 시작했지만, 추가적인 클린룸 공사 및 장비 입고 시기는 시황에 따라 탄력적으로 결정할 예정"이라고 말했다. 업계에서는 SK하이닉스가 3분기 이후 D램 가격 상승에 대비해 시설 투자를 선제적으로 단행한 것으로 보고 있다.
SK하이닉스는 이번 우시 팹 확장 외에도 꾸준히 투자에 나서고 있다. 지난해 말에는 경기 이천에 신규 D램 생산라인인 M16 공장 건설을 시작했다. 2020년 완공 예정인 M16은 차세대 노광장비인 극자외선(EUV) 전용 공간이 별도로 조성된다. 지난해에는 충북 청주에 3D 낸드 생산을 위한 M15 공장 건설을 완료했다. 이 밖에도 2022년 이후 용인 클러스터 4개 팹에 120조원을 투자한다는 계획도 세우고 있다.
한편 '새로운 도약, 새로운 미래'라는 주제로 열린 이날 준공식에는 리샤오민 우시시 서기, 궈위엔창 장쑤성 부성장, 최영삼 상하이 총영사, 이석희 SK하이닉스 대표이사, 고객 및 협력사 대표 등 500여명이 참석했다.
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