삼성전자, 세계 최초 40나노 DDR3 D램 양산

-50나노 대비 생산성 60% 증가
-2010년 이후 D램 시장 견인 기대 

이달부터 삼성전자가 양산에 돌입한 40나노급 2Gb DDR3 D램.     이 제품은 기존 제품에 비해 생산성이 60% 상당 향상됐다.

지난 1월 세계 최초로 40나노(1나노= 10억분의 1m) D램 개발에 성공한 삼성전자가 반년 만에 제품 양산에 들어갔다.

21일 삼성전자는 이달부터 40나노급 DDR3 D램 2기가비트(Gb) 제품을 본격적으로 양산했다고 밝혔다. 2007년 9월 60나노급 DDR2 2Gb(1.8V), 지난해 9월 50나노급 DDR3 2Gb (1.5V) 양산에 이어 세계 최고의 기술을 과시한 것이다.

이 제품은 지난해 9월 삼성전자가 세계 최초로 양산한 50나노급 제품에 비해 생산성이 60% 상당 향상됐다. 또 공정을 단순화하고, 생산기간을 단축하는 등 효율을 높여 원가경쟁력을 더욱 강화했다는 것이 회사 측의 설명이다.

아울러 동작전압 역시 1.35V로, 기존 1.5V 제품에 비해 약 20% 정도 빠른 1.6Gbps의 데이터 처리 속도를 구현한다.

삼성전자는 DDR3 시장 확대를 위해 △서버용 16기가바이트(GB) 및 8기가바이트 모듈(RDIMM) △워크스테이션.데스크탑 PC용 4기가바이트 모듈(UDIMM) △ 노트북 PC용 4기가바이트 모듈(SODIMM) 등 대용량 메모리 모듈 제품을 중점적으로 공급할 계획이다.

삼성전자 관계자는 "제품 개발도 중요하지만 이를 양산하는 것 역시 개발 못지않은 기술을 요구한다"며 "수율(원료가 반도체로 환원되면서 실제로 얻은 양의 비율)과 생산효율을 높여 차세대 시장에서도 삼성 반도체의 명성을 이어가겠다"고 밝혔다. 

반도체 시장 조사기관인 아이서플라이에 따르면 DDR3 D램은 비트(Bit) 환산 기준으로 전체 D램 시장에서 차지하는 비중이 올해 20%에서 2012년 82%까지 급격하게 늘어날 것으로 예상된다. 2Gb 제품 역시 올해 5%에서 2010년 18%, 2012년 82%로 성장할 것으로 보인다.

한편 삼성전자와 비슷한 시기에 40나노 DDR3 D램 개발에 성공했던 하이닉스는 올 3분기 중 1Gb, 4분기에 2Gb 제품을 양산할 것으로 알려졌다.

아주경제= 이하늘 기자 [e-mail]
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