중국 반도체, 낸드 이어 D램 추격도 '바짝'

중국 창신메모리(CXMT)가 연내 17나노(㎚) D램 양산 계획

중국 양쯔메모리(YMTC)도 128단 낸드 개발 성공 발표

중국 반도체 기업들이 한국 반도체 기술 추격에 속도를 내고 있다.

5일 대만 디지털 전문 매체 디지타임즈(digitimes)에 따르면 중국 창신메모리(CXMT)가 연내 17나노(㎚) D램을 양산할 계획이다. 창신메모리는 지난해 9월 D램 양산을 처음 공식화한 메모리 반도체 기업으로 첫 제품은 19나노 수준으로 알려졌다.

업계에서는 삼성전자가 2017년 11월 양산하기 시작한 2세대 10나노급(1y) D램을 17나노대로 추정하고 있다. 창신메모리가 올해 연말 실제 17나노 D램 양산에 돌입할 경우 기술 수준이 3년으로 좁혀지는 셈이다. 지난해 초 1y D램 양산에 들어간 SK하이닉스와는 2년 차이다.

앞서 중국 양쯔메모리(YMTC)도 지난달 10일 자사 홈페이지를 통해 128단 낸드플래시를 개발하는 데 성공했다고 밝혔다. 이르면 올 연말 양산에 돌입할 것으로 전망된다.

삼성전자는 지난해 7월 100단 이상의 낸드플래시 양산을 시작했고, SK하이닉스는 올해 2분기 내 128단 낸드플래시 양산을 목표로 하고 있다.

이 밖에 삼성전자가 133조원 투자계획을 발표한 시스템 반도체 시장에서도 중국 기업이 빠르게 뒤쫓고 있다.

중국 시장조사업체 시노(CINNO) 리서치는 최근 올 1분기 중국 모바일 애플리케이션 프로세서(AP) 시장에서 화웨이 산하 반도체 기업 하이실리콘이 점유율 43.9%로 1위를 기록했다고 밝혔다.

지난해 1분기만 해도 48.1%라는 압도적인 점유율로 1위를 사수했던 미국 퀄컴을 2위로 미뤄냈다는 점에서 업계 주목을 받고 있다. 삼성전자는 순위에 오르지 못하고 기타(1.7%)에 포함됐다.

시노에 따르면 하이실리콘은 화웨이 스마트폰의 AP 자급률을 90%까지 끌어올렸고, 5G 통합칩 시장에서 삼성과 겨루고 있다.

지난해 중순까지만 해도 중국의 메모리 반도체 생산 계획은 '과장 광고'라는 시각이 지배적이었다. 하지만 최근 중국 반도체 기업이 잇따라 개발 성과를 발표하며 업계에서도 국내 기업의 초격차 유지에 대한 의구심이 나온다.

중국 정부는 2025년까지 반도체 자급률을 70%로 끌어올리는 내용이 포함된 '중국제조 2025' 정책을 정부의 부당 지원, 외국기업에 대한 기술이전 강요 등을 문제삼은 미국과 유럽연합(EU)의 폐기 압력에도 불구하고 여전히 내밀하게 추진하고 있는 것으로 알려졌다.
 

양쯔메모리(YMTC)의 128단 3D 낸드플래시 모습. [사진=YMTC 홈페이지]