​[컨콜종합] SK하이닉스, "투자 규모 50% 줄이지만…차세대 제품군 생산량 늘릴 것"

SK하이닉스는 1일 진행한 2022년 4분기 실적 발표 컨퍼런스콜에서 메모리반도체 시장의 수요 급감에 따라 올해 재고 수준을 줄여나가는 보수적 대응에 나설 것이라 밝혔다. 투자 규모도 지난해 19조원 대비 50% 이상 축소할 계획이다.

다만 차세대 1b나노미터(nm)와 238단 개발 및 조기양산에 필요한 캐펙스(설비투자)는 차질 없이 집행해 시장 수요 반등에 대비할 계획이라고 설명했다.

SK하이닉스 측은 “시장 환경에 맞춘 투자 축소가 불가피하지만 올해 수요 성장을 주도할 DDR5, LPDDR5, HBM3 등 신제품 양산을 위한 필수투자와 연구개발(R&D) 및 인프라 투자는 지속해나갈 것”이라며 “하반기 서버용 D램 수요 증가의 한 부분인 신규 CPU(사파이어래피즈)와 DDR5은 업계에 재고가 없을 정도로 부족한 상황이라 공급량을 늘려갈 것”이라고 전했다.

또한 PC 출하량은 작년에 이어 올해 역성장이 예상되지만 고사양 노트북과 게이밍 PC 확대로 D램 채용량이 10% 이상 성장할 것으로 전망했다. CSSD는 원가 부담이 낮아지면서 수요가 20% 초반의 성장률을 보일 것으로 점쳤다. 이에 따라 서버향 D램 수요는 10% 후반대, eSSD는 30% 후반의 성장을 보이는 등 시장 수요 침체가 장기간 이어지지 않을 것으로 분석했다.

EUV(극자외선) 장비의 확대 적용과 관련해서는 높은 투자비용이 드는 것을 고려해 EUV 적용 효율성을 극대화하는 방향으로 초점을 맞췄다. 우선적으로 1anm에서 원가절감 효과가 가장 큰 공정에 EUV를 적용하고 있지만 향후 1bnm, 1cnm 등 EUV 적용을 순차적으로 늘려나갈 계획이다.

1anm D램과 176단 낸드는 지난해 말 기준으로 생산 비중이 각각 20%와 60% 수준을 보이고 있으며 일부 제품의 경우 성숙 수율까지 도달했다. 신제품도 수율 안정화를 달성해 수요 개선에 따라 양산 확대 준비에 나서는 중이다. 그러나 올해 투자 축소 기조로 연말까지는 1anm D램과 176단 낸드 생산 비중의 확대 규모가 크지 않을 것으로 예상했다.

이밖에 차세대 제품 성능과 관련해서는 1bnm D램은 1anm D램과 비교해 넷다이 효율성이 40% 이상 증대하는 동시에 원가 경쟁력까지 높아졌다. 넷다이 효율성이 약 50% 높아진 1테라바이트 기반의 제품도 출시할 예정이다.

SK하이닉스 측은 “올해 스마트폰 고객사의 플래그십 모델에 채용될 현존 최고 수준의 LPDDR5T(터보)를 개발해 샘플을 제공했다”면서 “하반기부터 1anm D램 기반으로 양산해 공급할 계획”이라고 밝혔다.
 

경기 이천시 SK하이닉스 이천캠퍼스 [사진=SK하이닉스]