SK하이닉스, 용인 클러스터 1기 팹 첫 삽··· "2027년 5월 준공 목표"

SK하이닉스 용인 반도체 클러스터 1기 팹 건설 현장. [사진=SK하이닉스]

SK하이닉스가 경기도 용인 반도체 클러스터 내 1기 팹(fab·반도체 생산공장)의 착공에 들어갔다. 용인 클러스터에 총 4기의 팹을 순차적으로 조성할 계획으로, 1기 팹은 2027년 5월 준공을 목표로 한다.

25일 SK하이닉스 뉴스룸에 따르면 SK하이닉스는 전날 용인 반도체 클러스터 1기 팹의 첫 삽을 떴다.

SK하이닉스는 당초 다음 달부터 1기 팹 착공에 들어갈 계획이었으나 용인시가 예정보다 신속하게 인허가 절차를 진행, 지난 21일 건축을 허가하면서 착공 시점보다 계획보다 앞당겼다.

용인시는 지난해 4월 SK하이닉스와 '생산라인 조기 착공 추진과 지역 건설산업 활성화를 위한 업무협약'을 맺은 데 이어 건축허가 태스크포스(TF)를 구성, 인허가 절차에 속도를 냈다.

경기 용인시 원삼면 일대 415만㎡(약 126만평) 규모의 부지에 구축될 용인 반도체 클러스터는 SK하이닉스 팹(약 60만평)과 소부장(소재·부품·장비) 업체 협력화단지(14만평), 인프라 부지(12만평)로 조성되는 반도체 산업단지다.

SK하이닉스는 이곳을 고대역폭 메모리(HBM)를 비롯한 차세대 D램 메모리의 생산 거점으로 삼고, 향후 급증하는 AI 메모리 반도체의 수요에 적기에 대응, 중장기 성장 기반을 구축할 예정이다.

SK하이닉스 측은 "클러스터 내 50여개 반도체 소부장 기업과 함께 대한민국 반도체 생태계 경쟁력을 제고하는 역할도 수행할 예정"이라고 설명했다.

SK하이닉스는 국내 소부장 중소기업의 기술 개발과 실증, 평가를 돕기 위한 '미니팹'을 1기 팹 내부에 구축할 방침이다.

미니팹은 반도체 소부장 등을 실증하기 위해 300㎜ 웨이퍼 공정장비를 갖춘 연구시설로, 이를 통해 실제 생산 현장과 유사한 환경을 협력사에 제공해 자체 기술 완성도를 높일 수 있도록 지원한다는 계획이다.