삼성전자, 40나노급 8기가 플랙스 원낸드 개발

삼성전자가 퓨전메모리 반도체의 활용도를 더욱 높였다.

삼성전자는 10일 40나노급 공정을 적용한 8기가비트 플렉스 원낸드(Flex-OneNANDTM)를 개발했다고 밝혔다.

8기가 플렉스 원낸드는 약 1기가바이트의 MLC 낸드 용량을 갖추고 있으며 MLC 낸드 플래시 대비 4배 이상 고속의 읽기 성능을 갖고 있다.

이를 통해 대용량·고성능·저소비전력 등 고효율 동작을 요구하는 하이엔드 급 휴대폰에 가장 적합한 솔루션을 제공할 수 있다는 것이 삼성전자의 설명이다.

특히 이번 기술의 소프트웨어 솔루션은 하나의 칩 안에서 프로그램을 지원하는 코드(Code)용 SLC 플래시와 사진 및 동영상 등의 데이터 저장용 MLC 플래시를 구현할수 있다.

여기에 내장 타입의 확장 스토리지인 무비낸드(혹은 eMMC)까지 컨트롤할 수 있어 고용량 내장 스토리지를 갖춘 휴대폰에도 별도의 소프트웨어를 설치하지 않아도 된다.

삼성전자는 이달부터 8기가 제품을 양산해 기존 고성능 스마트폰에서 대용량 하이엔드 휴대폰은 물론 풀HDTV, 컨텐츠 TV, 디지털 액자,디지털카메라 등 다양한 응용처로 수요를 확대한다는 방침이다.

한편, 플렉스 원낸드는 처리 속도는 빠르지만 가격이 비싼 초고속 SLC(Single Level Cell)와 속도는 느리지만 고용량이며 가격이 싼 MLC(Multi Level Cell)의 장점을 합친 플렉스 메모리다.

삼성전자는 2007년 60나노급 4기가 플렉스 원낸드를 개발한 바 있으며, 이달부터 40나노급 8기가 제품을 양산해 원낸드 제품 생산량을 지난해 대비 2배 늘릴 계획이다.

이하늘 기자 [e-mail]
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