삼성전자, 세계 최초 40나노 퓨전메모리 시대 열다

-삼성전자, 40나노 8기가 플렉스 원낸드 개발
-기존 제품 대비 생산성 2.8배 증가
-고사양 휴대폰 넘어 다양한 전자제품으로 사용 확산 조짐

삼성전자가 세계 최초로 40나노급 퓨전메모리 개발에 성공했다.

삼성전자는 10일 40나노급(1나노=10억분의 1미터) 공정을 적용한 8기가비트 플렉스원낸드(Flex-OneNANDTM)를 개발했다고 밝혔다.

스마트폰 등에 쓰이는 플렉스원낸드 제품은 ‘초고속 SLC(Single Level Cell) 낸드’와 ‘기가급 고용량 MLC(Multi Level Cell) 낸드’ 두 제품을 하나의 칩에서 구현한 차세대 모바일 솔루션 제품이다.

8기가 플렉스원낸드는 지난 2007년 삼성전자가 개발한 60나노급 4기가 제품에 비해 생산성이 2.8배 향상됐다.

삼성전자는 올해부터 또 다른 퓨전메모리 제품인 원낸드(OneNAND)에도 40나노급 공정을 도입해 경쟁사 대비 1~2세대 앞선 생산성을 유지한다는 전략이다.

최근 세계 최초로 40나노급 D램 개발에 성공한데 이어 퓨전메모리 분야에서도 40나노급 개발에 성공함으로써 삼성전자는 반도체 업계의 치열한 나노 경쟁에서 우위를 더욱 강화한 것으로 보인다.

플렉스원낸드는 원낸드와 원디램(OneDRAM)에 이어 삼성 전자가 개발한 3번째 퓨전 메모리 반도체다.

이 제품은 처리 속도는 빠르지만 가격이 비싼 초고속 SLC(Single Level Cell)와 속도는 느리지만 고용량이며 가격이 싼 MLC(Multi Level Cell)의 장점을 취합한 것이 특징이다.

8기가 플렉스원낸드의 경우 약 1기가바이트의 MLC 낸드 용량을 갖추고도 MLC 낸드 플래시 대비 4배 이상 고속의 읽기 성능을 갖고 있다.

이를 통해 대용량.고성능.저소비전력 등 고효율 동작을 요구하는 하이엔드 급 휴대폰에 가장 적합한 솔루션을 제공할 수 있다는 것이 삼성전자의 설명이다.

여기에 내장 타입의 확장 스토리지인 무비낸드(혹은 eMMC)까지 컨트롤할 수 있어 고용량 내장 스토리지를 갖춘 휴대폰에도 별도의 소프트웨어를 설치하지 않고 사용할 수 있다.

또한 SLC와 MLS 용량을 휴대폰 업체가 자유자재로 조절할 수 있어 제품의 특징에 부합하는 성능을 조율할 수 있는 점도 장점이다.

삼성전자는 이달부터 8기가 제품을 양산해 기존 고성능 스마트폰 뿐 아니라 대용량 하이엔드 휴대폰, 풀HDTV, 컨텐츠 TV, 디지털 액자, 디지털카메라 등 다양한 응용처로 수요를 확대한다는 방침이다.

삼성전자 관계자는 “플렉스원낸드는 기존 낸드 제품에 비해 부가가치가 큰 반도체”라며 “최근 낸드 제품의 가격이 상승세를 타고 있는 만큼 수익성 창출에도 큰 역할을 할 수 있을 것”이라고 밝혔다.

그는 또 “최근 고사양 제품의 수요가 증가하고 있는 만큼 올해 원낸드와 플렉스원낸드 제품의 생산을 지난해 대비 2배 이상으로 확대할 예정”이라고 밝혔다.

이하늘 기자 [e-mail]
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