삼성電, IBM 등과 28나노 로직공정 개발

삼성전자가 미국 IBM 등과 손잡고 28나노(nm) 저전력 로직공정 공동 개발을 추진하기로 했다.

IBM은 17일 자사 홈페이지를 통해 삼성전자와 차터드(싱가포르), 인피니언(독일), GLOBALFOUNDRIES(미국), STMicro(미국) 등 6개사가 HK/MG(High K Metal Gate) 절연체 기술 기반의 28나노 저전력 로직공정 개발에 협력하기로 했다고 밝혔다.

28나노 로직공정 공동개발은 지난 2007년 삼성전자, IBM, 인피니언, 차터드, 프리스케일 등 5개사가 참여한 35나노 HK/MG 절연체 기술 기반 공동 프로젝트를 한 단계 발전시킨 것이다.

28나노 저전력 평가 키트는 이미 지난해 12월 만들어졌고, 지난 3월에는 일반 시장을 대상으로 한 평가 키트가 제공됐다. 첫 생산은 2010년 2분기가 될 것이라고 IBM은 밝혔다.

28나노 저전력 기술은 45나노 기술과 비교할 때 40% 이상의 성능 향상과 20% 정도의 전력 절감 효과가 있는 것으로 알려졌다.

IBM은 "저전력 28나노 기술 플랫폼은 빠른 속도로 성장하는 모바일 인터넷 디바이스 시장을 포함한 소비자 전자기기 제조업체들에 강력하면서도 시기 적절한 솔루션을 제공할 것"이라고 말했다.

28나노 로직공정 개발에는 ARM도 참여할 예정이다. 지난해 9월 ARM과, 삼성전자, IBM, 차터드 등이 참여한 커먼 플랫폼 얼라이언스(CP:Common Platform alliance)는 32나노와 28나노 시스템 온 칩 디자인 플랫폼 공동개발에 합의했다고 발표했다.

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