기존 DDR2 제품보다 전력소모를 줄이면서도 빠른 처리속도를 자랑하는 DDR3 D램이 한 단계 더 진화했다.
12일 하이닉스반도체는 업계 최고의 성능과 저전력 특성을 구현한 2세대 1기가비트 DDR3 제품 개발에 성공했다고 12일 밝혔다.
최근 양산을 시작한 이 제품은 기존 54나노 공정기술을 활용하지만 전력소모를 기존 제품대비 약 30% 줄였다. 하이닉스 측은 “설계 회로를 최적화하고 단순화 시키는 한편 내부 신호처리에 새로운 방법을 도입해 기존 동작전압인 1.5V를 유지하면서도 전력소모를 줄였다”고 설명했다.
1기가비트 DDR3는 현재 DDR3 시장의 87%를 차지하고 있다. 따라서 하이닉스는 이번 제품을 통해 저전력 트렌드가 형성된 D램 시장을 주도할 수 있을 것으로 기대하고 있다.
하이닉스 관계자는 “이미 노트북을 포함한 모바일 제품이나 대형 서버를 사용하는 데이터센터 등에서는 에너지 절약이 필수 과제”라며 “이 제품은 클라우드 컴퓨팅 등 향후 제품환경이 요구하는 성능과 효율성을 만족시킬 것”이라고 기대했다.
한편 하이닉스는 4분기 중에양산을 시작하는 44나노 2기가비트 DDR3 제품에도 이번에 적용한 설계기술을 사용해 D램 반도체의 전력소모를 더욱 낮출 방침이다. 아울러 연말까지 전체 D램 생산량에서 DDR3의 비중을 50%이상으로 확대하고 차별화된 고부가가치 제품군을 지속적으로 공급할 예정이다.
아주경제= 이하늘 기자 ehn@ajnews.co.kr
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