알에프세미는 6일 반도체 소자 및 그 제조방법(Semiconductor Device and Method for Manufacturing thereof)에 관한 특허권을 취득했다고 공시했다.
회사측은 "본 발명은 서지(surge)나 정전기(ESD)로부터 회로를 보호하기 위한 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것"이라며 "특히 바이폴라 트랜지스터의 베이스와 콜렉터 사이에 부분적으로 제너 다이오드가 연결된 구조를 갖는 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것"이라고 전했다.
이어 "향후 자사 TVS Diode제품에 적용할 계획이다"고 덧붙였다.
아주경제= 김선국 기자 usese@ajnews.co.kr
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