원뿔형 노어 플래시 메모리 원천기술 개발

국내연구진이 32Gb급 대용량 데이터를 기존보다 10배 이상 빠르게 처리할 수 있는 노어(NOR) 플래시 메모리 원천기술을 세계 최초로 개발했다.

교육과학기술부는 테라급 나노소자개발사업단의 지원을 받은 서울대학교 박병국 교수팀이 고집적·대용량·고속 정보처리가 가능한 ‘원뿔구조의 NOR 플래시 소자’를 개발하는데 성공했다고 20일 밝혔다.

새로운 NOR 플래시 소자 채널은 원뿔 형태를 띠고 있으며 그 주위를 저장노드와 게이트가 감싸고 있는 형태다.

원뿔의 끝부분에 형성되는 전계 집중 및 전류 집중 현상을 활용해 정보 기록과 삭제 효율을 획기적으로 향상시킨 것이 특징이다.

전계 집중과 전류 집중이 같은 위치에서 일어나기 때문에 고에너지 전자의 주입 효율이 기존보다 10배 이상 향상됐다.

이를 통해 정보를 기록하는데 1 마이크로초(μs) 미만이 소요돼 10배 이상 고속 동작이 가능하다.

또 집적도를 낸드 플래시 수준으로 끌어올릴 수 있어 32Gb급 이상 NOR 플래시 메모리의 상용화를 앞당길 수 있을 것으로 전망된다.

 

이번 연구결과는 전자소자 분야의 권위지인 IEEE 전자소자 레터스 게재됐으며 국내특허 등록 1건과 미국 특허 1건을 출원 중이다.

아주경제= 김명근 기자 [e-mail]
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