삼성전자, 세계 최초 30나노급 D램 개발

- 40나노 대비 60% 생산성 증가
- 하반기 30나노급 양산 목표

삼성전자 메모리 마케팅 담당자들이 30나노급 D램 웨어퍼를 들고 있는 모습.

삼성전자가 경쟁사와의 D램 반도체 기술 격차를 더욱 크게 넓혔다.

삼성전자는 지난달 세계 최초로 30나노급 공정을 적용한 2Gb(기가비트) DDR3 D램을 개발했다고 1일 밝혔다.

지난해 1월 40나노급 D램을 개발한 뒤 1년만에 차세대 공정을 적용해 개발한 것. 삼성전자는 올해 하반기부터 양산에 들어갈 예정이다.

이번 개발은 한계로 여겨져왔던 40나노급의 벽을 1년만에 깼다는데 의미가 있다. 하이닉스를 제외한 경쟁사들이 50~60나노급에 머물러있는 동안 기술 격차를 더욱 벌인 것이다. 

특히 기술개발 간격도 크게 좁혔다. 50나노에서 40나노 전환에 2년 이상의 시간이 걸렸지만, 이번 30나노급 공정은 1년만에 개발에 성공했다. 이로써 기술개발 경쟁을 벌였던 하이닉스와의 격차도 벌이게 됐다. 

30나노급 D램은 지난해 7월 삼성전자가 세계 최초로 양산에 들어간 40나노급 대비 약 60%의 생산성을 증가시킬 수 있다. 50~60나노급에 비해서는 원가 경쟁력을 2배 이상 확보할 수 있다.

소비전력도 50나노 제품과 비교해 소비전력을 약 30% 정도 절감할 수 있다. 40나노급 비해 15% 줄일 수 있다. 

삼성전자 관계자는 "이번 30나노급 기술 개발은 DDR3 시장 확대에 맞춰 친환경 제품으로 서버에서부터 노트북까지 '그린 메모리' 전략을 강화해 나가겠다는 의미"라고 설명했다.

이번 기술은 서버 솔루션에서 동작전압 1.35V에서 동작 속도가 1.6Gbps(초당 1.6기가비트)인 제품을 제공한다. PC 솔루션으로는 업계 최초로 1.866Gbps까지 공급할 예정이다.

PC 솔루션에서 30나노급 D램이 구현한 DDR3 1.5V 1.866Gbps 동작 속도는 60나노급 DDR2 D램대비 약 3배, 40나노급 DDR3 D램보다는 40% 빠르다.
 
삼성전자 반도체사업부 메모리담당 조수인 사장은 "이번 30나노급 2Gb DDR3 제품을 성공적으로 개발함으로써 제조 경쟁력 격차를 1년 이상 벌려 놓았다"며 "30나노급 D램은 최고 성능의 친환경 솔루션을 제공하는 제품"이라고 밝혔다. 

아주경제= 이하늘 기자 [e-mail]
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