삼성전자, 세계 최초 4Gb DDR램 양산

삼성전자가 세계 최초로 4기가바이트(Gb) DDR3 D램 양산 돌입, 대용량 D램 시장 선점에 나선다.

삼성전자는 지난해 1월 50나노급 공정으로 세계 최초 개발한 4Gb DDR3 D램을 이달부터 40나노급 최신 공정을 이용해 양산한다고 24일 밝혔다.

4Gb DDR3 D램은 대용량이면서 전력소비를 낮출 수 있는 메모리다.

삼성전자가 이번에 양산에 들어가는 4Gb DDR3 D램은 △서버용 32GB(기가바이트)·16GB 모듈 △워크스테이션·데스크 탑 PC용 8GB 모듈 △노트북 PC용 8GB 모듈 제품 등이다.

삼성전자의 4Gb DDR3 D램은 1.35V와 1.5V의 동작전압 지원, 데이터 처리 속도는 최대 1.6Gbps다.

이 제품은 36W의 전력을 소비, 40나노급 2Gb DDR3 D램(55W)·60나노급 1Gb DDR2 D램(210W)에 비해 각각 35%, 83% 절감할 수 있다고 회사측은 설명했다.

전동수 삼성전자 반도체사업부 부사장은 “지난해 7월 40나노급 2Gb DDR3 D램을 양산한지 불과 7개월 만에 용량이 두 배인 4Gb DDR3 D램을 양산하게 됐다”며 “프리미엄급 PC·노트북·서버 등 대용량 메모리를 원하는 고객들의 요구를 맞출 수 있게 됐다"고 말했다. 

아주경제= 감혜림 기자 [e-mail]
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