日 엘피다, 25나노 디램 개발 성공

(아주경제 이가영 기자) 일본 반도체 업체인 엘피다 메모리가 회로폭을 25 나노미터(10억분의 1m)로 줄인 디램(DRAM)을 개발하는데 성공했다.

이에 따라 엘피다 메모리는 7월부터 히가시히로시마(東廣島)시의 히로시마 공장에서 25나노 디램을 생산할 계획이라고 니혼게이자이신문이 2일 보도했다.

신문은 지금까지 초미세 반도체칩 개발 경쟁에서는 삼성전자가 앞섰지만, 엘피다가 이를 뒤집었다고 평가했다.

25나노 디램의 기억용량은 2기가바이트(20억 바이트)로 컴퓨터나 스마트폰용이며 30나노 디램보다 작아서 반도체 원판(웨이퍼)당 반도체 칩 생산량이 늘어나며, 이에 따라 생산효율이 약 30% 향상될 전망이다.

엘피다는 올해 안에 4기가바이트 디램 생산도 시작할 예정이라고 신문은 전했다.

또한 신문은 "엘피다가 30나도 디램 개발에선 삼성전자에 약 6개월 뒤졌지만 1년 전부터 기술개발 체제를 수정한 끝에 20나노 디램 개발에 앞설 수 있었다"고 분석했다.

한편 디램은 최첨단 제품으로 1년에 수%씩 가격이 내려가기 때문에 개발 속도가 투자비 회수 여부에 직결되는 것으로 평가된다.