삼성전자 ‘3D-TSV 기술’ 32GB D램 모듈 개발

(아주경제 권석림 기자) 삼성전자는 ‘3D-실리콘 관통전극(TSV)’ 기술을 적용한 초고속 엔터프라이즈 서버용 32기가바이트(GB) D램 모듈을 업계 최초로 개발했다고 17일 밝혔다.

‘3D-TSV’ 기술은 수십㎛ 두께로 얇게 만든 실리콘칩에 직접 구멍을 뚫고 동일한 칩을 수직으로 쌓아 관통 전극으로 연결하는 패키징 기법으로, 속도와 용량 등 반도체 성능을 향상시킬 수 있다.

기존 제품을 탑재한 서버는 속도가 800Mbps인데 반해 이번에 개발한 모듈을 탑재한 서버는 이보다 67% 빠른 1333Mbps까지 고속 동작을 구현한다.

소비전력도 대용량 서버에 사용되는 30나노급 32GB LRDIMM 보다 30% 이상 낮은 시간당 4.5W로, 현재까지 나온 엔터프라이즈 서버용 D램 모듈 제품 중 가장 낮다.

삼성전자는 내년부터는 20나노급 D램을 기반으로 한 32GB 이상 대용량 서버용 메모리 시장을 확대할 계획이다.