31일 시장조사기관 D램익스체인지 및 업계 등에 따르면 삼성전자는 17라인(S3라인) 생산능력의 큰 비중을 D램에 할애하기로 하고 현재 필요한 장비를 입고 중이다.
삼성전자는 빠르면 내년 중순부터 17라인에서 D램을 생산할 것이라고 밝힌 바 있다. 이와 관련 D램익스체인지는 “삼성전자는 올 연말부터 PC향 D램에 초점을 맞춘 소량의 D램 웨이퍼 생산을 시작할 것 같다”며 “17라인의 D램 총 생산력은 내년 하반기 60K/월에 도달해 세계 생산력의 약 5%를 증대시킬 것”이라고 예상했다.
삼성전자는 올해 D램 빗그로스(비트 단위 환산 생산량 증가율)를 40% 후반대로 예측했다. 이는 지난해(25%)보다 두 배 가까이 높으며, 당사가 30% 전반대로 예상한 전체 산업 빗그로스도 훌쩍 뛰어넘는 수치이다. 삼성전자가 연초에 제시했던 자사 연간 빗그로스는 30% 중반대였다.
SK하이닉스는 총 17억달러를 투자한 M14 신공장을 내년 하반기에 가동한다. 이에 따른 M10으로부터 M14로의 장비 입고가 내년 중반부터 시작될 전망이다. M10은 다른 용도로 전환하게 된다.
SK하이닉스는 장비 이전 과정에서 일시적인 생산력 감소가 발생해 이를 보완하기 위한 소규모 증설 투자를 내년 하반기에 진행하기로 했다. 이러한 일련의 과정이 SK하이닉스가 시장 점유율을 확대하기 위한 전략의 기회로써 활용될 수 있다는 관측도 나온다.
마이크론도 최근 대만 자회사의 D램 공장에 대한 생산력 확대 가능성이 제기된다. 마이크론은 25나노로의 미세공정 전환에 따른 D램 웨이퍼 출하 감소가 발생, 웨이퍼 생산능력을 75K/월로 유지하기 위해 대만 자회사의 R2공장을 적극 활용하기로 했다. 현재 R2 공장으로의 D램 장비 입고가 진행 중인 것으로 알려져 생산력 확장이 예상된다.
에이브릴 우 D램익스체인지 부사장은 “업체들의 올 4분기 D램 생산능력 확장 계획이 늘어나 내년 업체들의 마진을 축내는 공급과잉 현상이 초래될 수 있다”고 전망했다.
업체들은 그러나 수요증가에 따른 공급부족분을 해소하는 수준에서 증설 투자를 단행할 방침이라고 밝혀왔다.
업계 관계자는 “D램 산업 과점 구조로 인해 공급자가 생산력을 조절해 판매가격을 높게 유지하려는 전략이 전개되고 있다”며 “공급 증가로 성장 모멘텀이 둔화될 수 있으나 높은 마진 감소를 야기하는 시황 급락의 가능성은 낮다”고 말했다.
©'5개국어 글로벌 경제신문' 아주경제. 무단전재·재배포 금지