KRISS, 제9회 반도체 공정진단 워크숍 10일 개최

[표=KRISS 제공]

아주경제 최서윤 기자 = 한국표준과학연구원(KRISS)이 10일 본원에서 제9회 반도체 공정진단 워크숍을 개최한다고 9일 밝혔다.

이번 워크숍의 주제는 '차세대 반도체 기술의 핵심인 실시간 공정 모니터링 및 분석 기술 개발'이다. 산·학 전문가 100여 명이 참석, 반도체 공정 및 장비 기술 자립화를 위한 정보를 공유한다.

우리나라 반도체 소자제조 기술은 세계 최고 수준의 경쟁력을 갖고 있다. 하지만 반도체 공정 및 장비를 실시간으로 모니터링하고 분석하는 진단기술은 여전히 취약한 실정으로 실시간 진단기술을 통해 수율향상을 이끌어내는 것이 중요하다.

이번 워크숍에서는 △초박막 공정을 위한 플라즈마 진단 표준화 △플라즈마 모니터링 시스템 △실시간 공정입자 복합특성 측정 장치 △레이저홀로그램과 신경망을 이용한 플라즈마 모니터링 △반도체·OLED 증착소재 및 장비부품 코팅소재 평가방법 등이 논의될 예정이다.

윤주영 KRISS 진공기술센터 센터장은 "지난 9년 동안 반도체 공정진단 워크숍을 통해 국내 반도체 공정진단기술 관련 산·학 전문가들이 한자리에 모일 수 있었다"면서 "앞으로도 행사를 지속적으로 개최해 국내 반도체 기술 향상 및 장비 국산화를 이루는 데 기여할 것”이라고 말했다.

KRISS는 2007년부터 매년 반도체 공정진단 워크숍을 개최하고 있다.