삼성전자는 지난해 1월 모바일AP(메인 프로세서)에서 업계 최초로 14나노 공정 양산을 시작한 데 이어, 이번에는 전체 시스템 반도체 업계에서 가장 먼저 10나노 공정 양산에 돌입했다고 17일 밝혔다.
나노 공정은 웨이퍼 위에 그려 넣는 회로와 회로 사이의 폭을 10억분의 1m 간격으로 줄였다는 것을 뜻한다. 더 미세한 나노공정을 적용할수록 웨이퍼 한 장당 더 많은 칩을 만들어낼 수 있다. 회로 사이의 폭을 10나노 단축하면 웨이퍼 한 장당 칩 생산량을 60% 가량 늘릴 수 있다.
삼성전자가 양산을 시작한 10나노 1세대 공정은 기존 14나노 1세대 대비 성능은 27% 개선하고, 소비전력은 40%를 절감했으며 웨이퍼당 칩 생산량은 약 30% 향상됐다.
삼성전자는 10나노 1세대(10LPE) 공정 양산을 시작으로 성능을 향상시킨 2세대(10LPP) 공정을 2017년 양산 목표로 개발 중이며, 2세대 이후에도 지속적인 성능개선과 파생공정 확대를 통해 10나노 공정을 장기간 활용할 계획이다.
또한 삼성전자는 고객 및 파트너사와의 협업을 통해 10나노 공정의 디자인 설계 툴을 검증하고, 고객들이 제품을 개발하는 데 도움을 주는 제품 레벨 디자인 키트와 IP 디자인 키트를 제공하는 등 파운드리 에코시스템을 확대해 나가고 있다.
윤종식 삼성전자 S.LSI 사업부 파운드리 사업팀장(부사장)은 “이번 10나노 로직 공정 양산으로 삼성전자의 미세 공정기술이 업계 최고 수준임을 다시 한 번 입증했다”며 “앞으로도 지속적인 기술혁신을 통한 미세 공정 기술 확보는 물론 고객에게 차별화된 반도체 솔루션을 제공해 시스템 반도체 사업을 발전시켜 나갈 것”이라고 밝혔다.
삼성전자의 10나노 로직 공정이 적용된 제품은 내년 초 출시될 IT 신제품 탑재를 시작으로 다양한 고객과 제품으로 확대될 예정이다.
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