
SK하이닉스가 개발한 96단 512Gbit TLC 4D 낸드플래시와 이를 기반으로 개발 중인 솔루션 제품들. [사진=SK하이닉스 제공]
SK하이닉스가 ‘메모리 반도체 가격 하락’을 초격차 기술로 정면돌파한다.
SK하이닉스는 4일 3D 낸드플래시에 주로 적용되는 ‘CTF(Charge Trap Flash)’ 구조에 ‘PUC(Peri Under Cell’) 기술을 결합한 '96단 512GByte(기가비트) TLC(트리플 레벨 셀) 4D 낸드플래시'를 세계 최초로 개발해 연내 초도양산에 돌입한다고 밝혔다.
기존 3D(3차원) 낸드플래시 메모리반도체 제품에서 한 차원 진화한 '4D 낸드플래시'를 세계 최초로 개발한 것이다.
SK하이닉스는 이번에 개발한 4D 낸드 제품을 탑재한 1TB(테라바이트) 용량의 소비자용 SSD(솔리드스테이트드라이브)를 올해 안에 선보이기로 했다. 아울러 72단 기반 기업용 SSD도 내년에 96단으로 전환해 경쟁력을 강화한다는 계획이다. 또 96단 4D 낸드 기반의 1테라비트급 TLC와 1테라비트급 QLC(쿼드 레벨 셀) 제품도 내년 중에 출시할 예정이다.
SK하이닉스가 이처럼 공세적으로 나서는 이유는 최근 중국의 반도체 굴기와 함께 D램과 낸드플래시 등 메모리반도체의 가격이 하락하고 있기 때문이다. 실제 지난 3일 국제금융센터에 따르면 바클레이스·씨티 등 IB들은 최근 "무역분쟁 심화, 불리한 수급 여건 등으로 2019년 반도체 사이클이 본격적으로 약화할 가능성이 있다"고 밝혔다.
특히 씨티는 낸드플래시에 대해서도 내년까지 과잉 공급 상태가 유지될 것이라며 가격 하락율 전망을 기존(27%)에서 13%포인트 떨어진 40%로 내다봤다. 이에 SK하이닉스는 초격차 기술의 신제품을 선보임으로써 가격 하락세를 공급 확대로 방어하겠다는 전략을 공언한 셈이다.
앞서 SK하이닉스는 지난 3분기 메모리반도체의 가격 하락세에도 매출액 11조4168억원, 영업이익 6조4724억원을 달성하며, 직전 분기 기록했던 사상 최대 실적을 모두 갈아치운 바 있다.
업계에서는 3분기 D램의 가격 상승세가 둔화되고 낸드플래시의 가격 하락도 지속됐으나, 출하량 증가에 힘입어 매출액과 영업이익이 전 분기 대비 각각 10%, 16% 증가한 것으로 분석하고 있다.
김정태 SK하이닉스 낸드 마케팅 담당 상무는 "CTF 기반 96단 4D 제품은 업계 최고 수준의 원가경쟁력과 성능을 동시에 갖추며 우리 사업의 이정표가 될 것"이라며 "연내 초도 양산에 이어 최근 준공한 충북 청주 M15 생산라인에서 본격 양산에 돌입할 계획"이라고 말했다.
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