정은승 삼성전자 사장 "4차 산업시대, 파운드리 기술 진화가 핵심"

'국제반도체소자학회'서 기조연설 나서

EUV·STT-MRAM 등 기술진화 집중

지난 7월 서울 그랜드 인터컨티넨탈 파르나스 호텔에서 열린 '삼성 파운드리 포럼 2018 코리아'에서 정은승 삼성전자 파운드리사업부장 사장이 기조연설을 하고 있다. [사진=연합뉴스]

"4차 산업혁명 시대에 급증하는 데이터를 처리하기 위해서는 파운드리(반도체 위탁생산) 기술의 진화가 중요하다."

정은승 삼성전자 파운드리 사업부장 사장은 3일(현지시간) 미국 샌프란시스코에서 열린 '국제반도체소자학회'(IEDM·International Electronic Devices Meeting)에서 '4차 산업혁명과 파운드리'를 주제로 기조연설에 나서 이같이 밝혔다.

정 사장은 "많은 양의 데이터 처리를 위해서는 반도체 집적도를 높여 성능과 전력효율을 향상시켜야 한다"며 "이를 위해 극자외선(EUV) 노광기술, 자성물질 구조를 이용한 차세대 메모리 반도체(STT-MRAM) 등 첨단 파운드리 기술 진화가 핵심"이라고 설명했다. 

특히 EUV 노광장비는 삼성전자의 7나노(1나노·머리카락 굵기의 10만분의 1 정도) 파운드리 공정과 향후 차세대 D램 생산의 핵심으로 꼽힌다. 반도체 공정이 10나노 이하로 접어들면서 기존에 주로 사용되던 불화아르곤(ArF) 광원 노광 공정은 한계에 봉착했다는 평가가 나온다. 

EUV는 파장의 길이가 ArF의 1/14 미만에 불과해 보다 세밀한 반도체 회로 패턴 구현에 적합하고, 복잡한 멀티패터닝 공정을 줄일 수 있다. 

정 사장은 "자율주행차, 스마트 홈 등 새로운 아이디어들을 실제로 구현하기 위해서는 높은 수준의 반도체 기술이 필요하다"며 "향후 파운드리 사업은 반도체를 위탁·제조하는 기존의 역할을 강화할 뿐 아니라 고객 요청에 따라 디자인 서비스부터 패키지, 테스트까지 협력을 확대하게 될 것"이라고 말했다.

또 그는 이날 업계의 기술 트렌드와 더불어 게이트-올-어라운드(GAA) 트랜지스터 구조를 적용한 3나노 공정 등 삼성전자의 최근 연구 성과도 함께 공개해 참석자들의 큰 관심을 받았다. GAA는 현재 첨단 반도체 공정에 사용되고 있는 핀펫(Fin-FET) 구조에서 한 단계 더 진화된 차세대 트랜지스터 구조다. 삼성전자는 현재 3나노 공정의 성능 검증을 마치고 기술 완성도를 높여가고 있다. 

삼성전자는 이같은 '초격차' 기술 개발을 통해 올해 파운드리 사업에서 매출 100억달러(약 11조원)를 달성, 세계 4위(2017년 기준)에서 2위로 도약하겠다는 포부다.

정 사장은 이를 위해 무엇보다도 업계, 학계와의 협력이 중요하다고도 강조했다. 그는 "최근 반도체 업계의 다양한 기술 성과는 장비와 재료 분야의 협력 없이는 불가능했다"며 "앞으로도 업계, 연구소, 학계의 경계 없는 협력이 반드시 필요하다"고 말했다.

실제 삼성전자는 '삼성 파운드리 포럼'과 '삼성전자 파운드리 에코시스템'(SAFE·Samsung Advanced Foundry Ecosystem) 등을 통해 글로벌 고객 및 파트너와 협력하며, 첨단 공정 생태계를 강화해 나가고 있다. 

한편, IEDM은 국제반도체회로 학술회의(ISSCC·International Solid-State Circuit Conference), 초대규모 집적 회로(VLSI·Very Large Scale Integration) 학회와 함께 세계 3대 반도체 학회 중 하나로 전 세계의 반도체 전문가들이 참석한다.