SK하이닉스는 세계 최초로 데이터 저장 공간을 128단으로 쌓은 1Tb(테라비트) 4D 낸드플래시 개발·양산에 성공했다. 지난해 10월 96단 4D 낸드 개발 이후 8개월 만에 거둔 성과다.
26일 업계에 따르면 이 제품은 128단 낸드로 초균일 수직 식각 기술, 고신뢰성 다층 박막 셀 형성 기술, 초고속 저전력 회로 설계 기술 등이 적용됐다.
낸드는 전원이 꺼져도 데이터가 삭제되지 않는 '비휘발성' 메모리다. 기존에는 평면 구조의 2D 제품이 주류였지만, 2010년대 들어 반도체를 수직으로 높이 쌓아올리는 3D낸드가 나오기 시작했다.
4D낸드는 기존 3D낸드에 SK하이닉스의 자체 기술인 PUC(Peri Under Cell)를 적용해 한 단계 더 진화한 것을 의미한다.
SK하이닉스 관계자는 "이번에 개발한 4D 낸드는 기존 96단 4D 낸드보다 생산성이 40% 향상됐고, 투자효율도 60% 올랐다"고 말했다.
96단 낸드에서 셀을 32단 더 추가하면서도 전체 공정 수를 5% 줄여 128단 낸드로의 전환 투자비용을 이전보다 60% 절감할 수 있었다는 게 회사의 설명이다.
SK하이닉스는 이 제품을 올 하반기부터 판매하고 다양한 솔루션 제품도 연이어 출시한다는 계획이다.
내년 상반기에는 차세대 UFS 3.1 제품을 개발해 5세대(5G) 스마트폰에 공급할 예정이다. 현재 스마트폰 업계 최대 용량인 1TB(테라바이트) 제품을 512Gb 낸드로 구현할 경우 낸드 개수가 반으로 줄어들어 소비전력은 20% 낮아지고, 패키지 두께도 1mm로 얇아진다.
오종훈 SK하이닉스 GSM담당 부사장은 "128단 4D 낸드로 자사는 낸드 사업의 근원적 경쟁력을 확보하게 됐다"면서 "업계 최고 적층, 최고 용량을 구현한 이 제품으로 고객들이 원하는 다양한 솔루션을 적기에 제공할 것"이라고 말했다.
26일 업계에 따르면 이 제품은 128단 낸드로 초균일 수직 식각 기술, 고신뢰성 다층 박막 셀 형성 기술, 초고속 저전력 회로 설계 기술 등이 적용됐다.
낸드는 전원이 꺼져도 데이터가 삭제되지 않는 '비휘발성' 메모리다. 기존에는 평면 구조의 2D 제품이 주류였지만, 2010년대 들어 반도체를 수직으로 높이 쌓아올리는 3D낸드가 나오기 시작했다.
4D낸드는 기존 3D낸드에 SK하이닉스의 자체 기술인 PUC(Peri Under Cell)를 적용해 한 단계 더 진화한 것을 의미한다.
96단 낸드에서 셀을 32단 더 추가하면서도 전체 공정 수를 5% 줄여 128단 낸드로의 전환 투자비용을 이전보다 60% 절감할 수 있었다는 게 회사의 설명이다.
SK하이닉스는 이 제품을 올 하반기부터 판매하고 다양한 솔루션 제품도 연이어 출시한다는 계획이다.
내년 상반기에는 차세대 UFS 3.1 제품을 개발해 5세대(5G) 스마트폰에 공급할 예정이다. 현재 스마트폰 업계 최대 용량인 1TB(테라바이트) 제품을 512Gb 낸드로 구현할 경우 낸드 개수가 반으로 줄어들어 소비전력은 20% 낮아지고, 패키지 두께도 1mm로 얇아진다.
오종훈 SK하이닉스 GSM담당 부사장은 "128단 4D 낸드로 자사는 낸드 사업의 근원적 경쟁력을 확보하게 됐다"면서 "업계 최고 적층, 최고 용량을 구현한 이 제품으로 고객들이 원하는 다양한 솔루션을 적기에 제공할 것"이라고 말했다.
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