​SK하이닉스, 세계 최초 'HKMG 공정' 적용 모바일 D램 개발

HKMG 공정 적용한 'LPDDR5X', 최근 판매 시작

SK하이닉스가 세계 최초로 HKMG(High-K Metal Gate) 공정을 적용한 저전력 모바일 D램을 개발했다.
 
SK하이닉스는 9일 모바일 D램 제품으로는 처음으로 HKMG 공정을 도입한 LPDDR5X(Low Power Double Data Rate 5X) 개발을 완료하고 최근 판매를 시작했다고 밝혔다.
 
HKMG 공정은 유전율이 높은 물질을 D램 트랜지스터 내부의 절연막에 사용해 누설 전류를 막고, 정전용량을 개선한 차세대 공정이다. 속도를 빠르게 해 소모 전력을 줄여준다는 특징이다.
 
모바일용 D램으로 불리는 LPDDR는 규격명에 저전력을 뜻하는 ‘LP(Low Power)’라는 표현이 사용되는데, 그만큼 낮은 전력 소비가 최대 관건인 제품이다. 현재 LPDDR는 7세대인 5X까지 개발됐다.
 

이번 제품은 국제반도체표준협의기구가 정한 초저전압 범위인 1.01~1.12볼트(V)에서 작동하며 이전 세대 대비 소비 전력을 25% 줄이는 데 성공했다. 이로써 업계 최고의 전력 사용 효율성을 확보했다는 게 회사 측 설명이다.
 
또한 HKMG 공정 도입으로 속도도 향상했다. LPDDR5X는 이전 세대 대비 33% 빠른 8.5기가비트퍼세컨드(Gbps)의 동작 속도를 자랑한다.
 
SK하이닉스 측은 “시장의 흐름을 놓치지 않고 LPDDR 개발을 끊임없이 이어왔다”며 “지난해 업계 최대 용량인 18GB LPDDR5를 양산했으며 올해는 업계 최고 속도 LPDDR5X를 개발해 메모리 반도체의 절대 강자임을 다시 한번 보여줬다”고 강조했다.
 

SK하이닉스의 초저전력 LPDDR5X[사진=SK하이닉스]