​[종합] SK하이닉스, 3분기 '적자' 폭 38% 줄여…"HBM·TSV 투자 확대"

D램, 두 개 분기 만에 '흑자' 전환…고부가제품, 공정 전환 등 효율성 집중

SK하이닉스가 반도체 시장의 반등이 시작하면서 적자 폭을 줄이는 데 성공했다.
 
SK하이닉스는 26일 올해 3분기 연결기준 매출 9조662억원, 영업손실 1조7920억원을 기록했다고 공시했다. 이는 전년 동기 매출 10조9829억원, 영업이익 1조6605억원보다 각각 17% 줄고 적자로 전환한 것이다.
 
다만 직전 분기인 올해 2분기와 비교했을 때는 소폭 개선된 실적을 나타냈다. 올해 2분기 매출 7조3059억원, 영업손실 2조8821억원 대비 각각 24% 늘고, 38% 적자가 축소했다.
 
D램과 낸드플래시 모두 판매량이 늘어난 것은 물론 D램 평균판매가격(ASP)의 상승이 큰 영향을 미쳤다는 게 회사 측 설명이다. 특히 D램은 올해 1분기 적자로 돌아섰다 두개 분기 만에 흑자로 전환했다.
 

실제 D램은 인공지능(AI) 등 고성능 서버용 제품 판매 호조에 힘입어 직전 분기보다 출하량이 약 20% 늘었다. 낸드는 고용량 모바일 제품과 솔리드스테이트드라이드(SSD) 중심으로 출하량이 증가했다.
 
SK하이닉스는 적자가 이어지고 있는 낸드 역시 점차 시황이 나아지는 조짐을 보여 경영실적의 개선 추세를 이어가기 위해 만전을 기하겠다는 계획이다. 또 고대역폭메모리(HBM)와 DDR5, LPDDR5 등 고부가 주력 제품에 대한 투자를 늘린다.
 
아울러 D램 10나노 4세대(1a)와 5세대(1b) 중심으로 공정을 전환하고, HBM과 실리콘관통전극(TSV)에 대한 투자를 확대한다. TSV는 D램 칩에 수천개의 미세한 구멍을 뚫어 상층과 하층 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극으로 연결한 어드밴스드 패키징(Advanced Packaging) 기술이다.
 
김우현 SK하이닉스 최고재무책임자(CFO·부사장)는 “고성능 메모리 시장을 선도하며 미래 AI 인프라 핵심이 될 회사로 탄탄하게 자리매김하고 있다”며 “앞으로 글로벌 수위를 점한 제품을 통해 기존과 다른 새로운 시장을 창출하고, 고성능 프리미엄 메모리 1등 공급자로 입지를 강화해 나가겠다”고 말했다.
 
이날 실적 발표 후 이어진 컨퍼런스콜에서 SK하이닉스 측은 “HBM 시장은 향후 5년간 연평균 60~80% (성장할 것으로) 보고 있는데, 지금 계속 빠르게 증가 추세로 가는 것 같다”며 AI 서버 관련 “지금 급속도로 AI 관련 산업 생태계 참여자가 늘고 있어 만약 AI 전용 데이터센터나 컴퓨팅 파워를 더 요구하게 된다면 예상보다 더 빠르고 크게 AI 서버 시장의 성장이 전망된다”고 전망했다.
 
내년 사업 계획에 대해서는 “캐파 증설보다는 공정 전환에 집중해 캐팩스(CAPEX·설비 투자)의 효율성을 기반한 운영을 지속할 생각이다”며 “D램은 내년 수요의 성장을 주도할 DDR5나 HBM3E 같은 고부가제품 생산 확대를 위해 3단 공정 전환에 힘쓸 예정이고, 내년 말까지는 1a와 1b 나노미터의 생산 비중이 절반 이상을 차지할 수 있도록 할 예정”이라고 강조했다.
 
한편 중국 팹(공장)에 대해서는 불확실성이 상당 부분 해소됐다고 설명했다. SK하이닉스 고위 관계자는 미국의 대중 장비 수출 규제 관련 “당사가 ‘검증된 최종 사용자(VEU)’로 선정됐다”며 “향후 활용 가능한 기술과 대응 가능한 제품 믹스, 고객 수요 등을 감안해 중국 팹의 활용 방안을 지금 수립 중”이라고 덧붙였다.
 

SK하이닉스 이천 캠퍼스[사진=SK하이닉스]