삼성전자가 고대역폭메모리(HBM) 5세대인 HBM3E 개선 제품을 올해 1분기 말부터 주요 고객사에 공급한다.
삼성전자는 31일 열린 실적 콘퍼런스콜에서 “HBM3E 개선 제품은 1분기 말부터 공급할 예정”이라며 “가시적인 공급 증가는 2분기 본격화될 것”이라고 밝혔다. 이어 “6세대(1c) D램 기반 HBM4는 올해 하반기 양산을 목표로 개발하고 있다”고 설명했다.
삼성전자는 지난해 3분기부터 HBM3E 8단, 12단 제품을 양산 판매 중인 가운데, HBM3E 개선 제품은 엔비디아가 발열, 전력효율 등의 개선을 요구하면서 개발에 착수한 것으로 알려졌다.
아울러 HBM3E 개선 제품의 가시적인 공급 증가는 2분기부터 본격화할 것으로 전망했다.
삼성전자는 “최근 미국 정부에서 발표한 첨단 반도체 수출 통제 영향뿐만 아니라 당사의 개선 제품 계획 발표 이후 주요 고객사들의 기존 수요가 개선 제품 쪽으로 옮겨가며 HBM의 일시적인 수요 공백이 발생할 것으로 보인다”며 “다만 2분기 이후 고객 수요는 8단에서 12단으로 기존 예상 대비 빠르게 전환될 것”이라고 예측했다. 그러면서 “2025년 전체 HBM 비트 공급량은 전년 대비 2배 수준으로 확대될 전망”이라고 덧붙였다.
이에 따라 HBM3E 개선 제품을 고객 수요에 맞춰 램프업(생산량 확대)하는 등 2025년 전체 HBM 비트 공급량을 전년 대비 2배 수준으로 확대한다는 계획이다.
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